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| 电子束光刻:Electron Beam Lithography |
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I. 用电子束光刻进行微纳加工。
1 加工的最小线度:30纳米。
2 加工的最大面积:4英寸。
3 加工的衬底材料:硅,石英,介质材料,III-V族半导体或化合物,所有金属 |
纳米压印光刻:Nanoimprin Lithography |
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II. 纳米压印的光刻模板(Nanoimprint templates)
1. 模板的线度:50 纳米及其以上。
2. 模板中纳米结构的高宽比:1-10,视具体线度和材料而定。
3. 模板材料:硅,石英,介质膜(氧化硅,氮化硅,碳化硅),PDMS,镍,金和银。 |
纳米压印模板:imprint Template |
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III. 纳米压印和光刻的复合模板(Combined nanoimprint/photolithography mask plates)
1. 模板的线度:50 纳米及其以上。
2. 模板中纳米结构的高宽比:1-10,视具体线度而定。
3. 模板材料:石英。 |
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- 介观信息技术有限公司宗旨:为中国的微纳技术的发展作贡献
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- 帮助中国的科研单位(高校和各研究所及实验室)建立起同国际上先进微纳加工技术领先的实验室的联系与合作,为国内微纳加工技术的发展提供技术咨询, 参与国内单位的与纳米技术相关的自然科学基金项目,863项目,973重大专项的科研。
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- 专业从事纳米压印模板、PMMA系列光刻胶材料的研发和生产,致力于为提升传统产业的竞争力提供工业核心技术。在纳米材料和功能性材料的应用领域,成为中国领先和出色的参与者。
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- 介观纳米是技术开发型企业,依托国外先进的实验室合作,在微纳加工,压印模板技术,光刻胶研制的产品性能均达到了世界最先进水平。
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产 品 展 示 |
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EBL ZEP 30nm |
EBL ZEP 50nm |
EBL ZEP 100nm |
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LOR PMMA 50nm |
LOR PMMA 100nm |
chiral |
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silicon |
SiC gratings |
T-shape |
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