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电子束光刻:Electron Beam Lithography
I. 用电子束光刻进行微纳加工
1 加工的最小线度:30纳米。
2 加工的最大面积:4英寸。
3 加工的衬底材料:硅,石英,介质材料,III-V族半导体或化合物,所有金属

纳米压印光刻:Nanoimprin Lithography

II. 纳米压印光刻模板(Nanoimprint templates)
1. 模板的线度:50 纳米及其以上。
2. 模板中纳米结构的高宽比:1-10,视具体线度和材料而定。
3. 模板材料:硅,石英,介质膜(氧化硅,氮化硅,碳化硅),PDMS,镍,金和银。

纳米压印模板:imprint Template
III. 纳米压印和光刻的复合模板(Combined nanoimprint/photolithography mask plates)
1. 模板的线度:50 纳米及其以上。
2. 模板中纳米结构的高宽比:1-10,视具体线度而定。
3. 模板材料:石英。

 

 
公司目前研制的有四种胶系列PMMA350甲.PMMA350.PMMA350.PMMA350,现货供应
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  • 介观信息技术有限公司宗旨:为中国的微纳技术的发展作贡献
  • 帮助中国的科研单位(高校和各研究所及实验室)建立起同国际上先进微纳加工技术领先的实验室的联系与合作,为国内微纳加工技术的发展提供技术咨询, 参与国内单位的与纳米技术相关的自然科学基金项目,863项目,973重大专项的科研。
  • 专业从事纳米压印模板PMMA系列光刻胶材料的研发和生产,致力于为提升传统产业的竞争力提供工业核心技术。在纳米材料和功能性材料的应用领域,成为中国领先和出色的参与者。
  • 介观纳米是技术开发型企业,依托国外先进的实验室合作,在微纳加工压印模板技术,光刻胶研制的产品性能均达到了世界最先进水平。
 
产 品 展 示
 
EBL ZEP 30nm
EBL ZEP 50nm
EBL ZEP 100nm
LOR PMMA 50nm
LOR PMMA 100nm
chiral
silicon
SiC gratings
T-shape
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